DTA113ZUAT106
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
50 шт., срок 8-10 недель
45 ֏
Мин. кол-во для заказа 37 шт.
Добавить в корзину 37 шт.
на сумму 1 665 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Описание Транзистор: PNP, биполярный, BRT, 50В, 0,1А, 200мВт, SOT323, R1: 1кОм
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
| Maximum DC Collector Current | 100mA |
| Pd - Power Dissipation | 200mW |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Collector Current (Ic) | 100mA |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 500nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 50V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@500uA, 10mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 33@5mA, 5V |
| Power Dissipation (Pd) | 200mW |
| Transition Frequency (fT) | 250MHz |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | -50 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | -100 mA |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 33 |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package/Case: | UMT-3 |
| Part # Aliases: | DTA113ZUA |
| Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
| Peak DC Collector Current: | 100 mA |
| Product Category: | Digital Transistors |
| Product Type: | Digital Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Typical Input Resistor: | 1 kOhms |
| Typical Resistor Ratio: | 10 |
Техническая документация
Datasheet DTA113ZUAT106
pdf, 1447 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 30 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 3 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
