TTC004B,Q
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2615 шт., срок 8-10 недель
356 ֏
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
5 шт.
на сумму 1 780 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Описание Транзистор биполярный TO225
Технические параметры
кол-во в упаковке | 1 |
Brand | Toshiba |
Collector- Base Voltage VCBO | 160 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 160 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.5 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 1.5 A |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 140 |
DC Current Gain hFE Max | 280 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
Factory Pack Quantity | 250 |
Gain Bandwidth Product fT | 100 MHz |
Manufacturer | Toshiba |
Maximum DC Collector Current | 1.5 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | - |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-126N-3 |
Pd - Power Dissipation | 10 W |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
RoHS | Details |
Series | TTC004B |
Technology | Si |
Transistor Polarity | NPN |
Вес, г | 84 |
Техническая документация
Datasheet TTC004B,Q
pdf, 205 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 4 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 8 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг