2SA1162-GR,LF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2380 шт., срок 8-10 недель
23 ֏
Мин. кол-во для заказа 100 шт.
Кратность заказа 20 шт.
Добавить в корзину 100 шт.
на сумму 2 300 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
100nA 50V 150mW 70@2mA,6V 150mA 80MHz 100mV@100mA,10mA PNP +125°C@(Tj) SOT-23-3L BIpolar TransIstors - BJT
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
| Maximum DC Collector Current | 150mA |
| Pd - Power Dissipation | 150mW |
| Transistor Type | PNP |
| Brand | Toshiba |
| Collector- Base Voltage VCBO | 50 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.1 V |
| Configuration | Single |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 70 |
| DC Current Gain hFE Max | 400 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Gain Bandwidth Product fT | 80 MHz |
| Manufacturer | Toshiba |
| Maximum Operating Temperature | +125 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SC-59-3 |
| Packaging | Reel |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| RoHS | Details |
| Series | 2SA1162 |
| Transistor Polarity | PNP |
| Unit Weight | 0.000282 oz |
Техническая документация
2SA1162 datasheet
pdf, 155 КБ
Документация
pdf, 305 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 30 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 3 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
