2SK3756(TE12L.F)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
30 шт., срок 8-10 недель
580 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 1 740 ֏
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Gain: | 12 dB |
| Id - Continuous Drain Current: | 1 A |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Operating Frequency: | 470 MHz |
| Output Power: | 32 dBm |
| Package/Case: | PW-Mini-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 3 W |
| Product Category: | RF MOSFET Transistors |
| Product Type: | RF MOSFET Transistors |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Type: | RF Power MOSFET |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 7.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | 3 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 950 mV |
| Вес, г | 833 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 191 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 30 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 3 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
