2SK3476(TE12L,Q
8 шт., срок 8-10 недель
1 160 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 2 320 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
RF MOSFET Transistors N-Ch Radio Freq 1A 3 W 20V VDSS
Технические параметры
| Brand | Toshiba |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Gain | 11.4 dB |
| Id - Continuous Drain Current | 3 A |
| Manufacturer | Toshiba |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Operating Frequency | 520 MHz |
| Output Power | 7 W |
| Package / Case | PW-X-4 |
| Packaging | Cut Tape |
| Pd - Power Dissipation | 20 W |
| Product Category | RF MOSFET Transistors |
| RoHS | Details |
| Series | 2SK3476 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Type | RF Power MOSFET |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.05 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 3A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | - |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | - |
| Power Dissipation (Pd) | 20W |
| Вес, г | 8 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 4 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 8 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
