IRFP450LCPBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 830 ֏
от 10 шт. —
1 690 ֏
от 25 шт. —
1 560 ֏
от 100 шт. —
1 460 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 830 ֏
Описание
МОП-транзистор 500V N-CH HEXFET
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 14 A |
Pd - рассеивание мощности | 190 W |
Qg - заряд затвора | 74 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 400 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 500 |
Серия | IRFP |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Brand | Vishay Semiconductors |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 500 |
Fall Time | 30 ns |
Forward Transconductance - Min | 8.7 S |
Height | 20.7 mm |
Id - Continuous Drain Current | 14 A |
Length | 15.87 mm |
Manufacturer | Vishay |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-247-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 190 W |
Product Category | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance | 400 mOhms |
Rise Time | 49 ns |
RoHS | Details |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 30 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 14 ns |
Unit Weight | 1.340411 oz |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
Width | 5.31 mm |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 14 A |
Maximum Drain Source Resistance | 400 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Power Dissipation | 190 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-247AC |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 74 nC @ 10 V |
Automotive | No |
ECCN (US) | EAR99 |
Lead Shape | Through Hole |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 14 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 400@10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 500 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 190000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Through Hole |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
PPAP | No |
Standard Package Name | TO-247 |
Supplier Package | TO-247AC |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 30 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 74(Max) |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 74(Max)@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 2200@25V |
Typical Rise Time (ns) | 49 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 30 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 14 |
Вес, г | 6.28 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1570 КБ
Datasheet
pdf, 1896 КБ
Datasheet IRFP450LCPBF
pdf, 1531 КБ
Datasheet IRFP450LCPBF
pdf, 1583 КБ
Документация
pdf, 1581 КБ