SSM3J133TU,LF, МОП-Транзистор 20 В 5,5 А 500мВт 29,8 мОм при 4,5 В, 3 А 1 В при 1 мА P-канал - МОП-Транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
14 шт., срок 5-6 недель
484 ֏
1 шт.
на сумму 484 ֏
Описание
Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.5A 3-Pin UFM T/R
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 5.5 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 29.8@4.5V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±8 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Product Category | Small Signal |
| Supplier Package | UFM |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 12.8@4.5V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 840@10V |
| Вес, г | 0.0066 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 200 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
