2SC3326-B,LF(T
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
800 шт., срок 8-10 недель
94 ֏
Мин. кол-во для заказа 18 шт.
18 шт.
на сумму 1 692 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
20V 150mW 350@400mA,2V 300mA NPN SOT-23 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 20V |
Maximum DC Collector Current | 300mA |
Pd - Power Dissipation | 150mW |
Transistor Type | NPN |
Collector Current (Ic) | 300mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 20V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 42mV@30mA, 3mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 350@400mA, 2V |
Operating Temperature | - |
Power Dissipation (Pd) | 150mW |
Transition Frequency (fT) | 30MHz |
Техническая документация
Datasheet 2SC3326-B,LF(T
pdf, 228 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 4 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 8 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг