IHW20N135R5
![IHW20N135R5](https://static.chipdip.ru/lib/517/DOC006517016.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 200 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
1 070 ֏
от 30 шт. —
1 000 ֏
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 2 400 ֏
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 288 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Другие названия товара № | IHW20N135R5XKSA1 SP001078568 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1350 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.65 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 40 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 240 |
Серия | RC |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Brand | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1350 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.95 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current at 25 C | 40 A |
Continuous Collector Current Ic Max | 20 A |
Factory Pack Quantity | 240 |
Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA |
Manufacturer | Infineon |
Maximum Gate Emitter Voltage | 20 V |
Maximum Operating Temperature | +175 C |
Minimum Operating Temperature | -40 C |
Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-247-3 |
Packaging | Tube |
Part # Aliases | IHW20N135R5XKSA1 SP001078568 |
Pd - Power Dissipation | 288 W |
Product Category | IGBT Transistors |
RoHS | Details |
Technology | Si |
Вес, г | 6 |