SSM6J507NU,LF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3328 шт., срок 8-10 недель
152 ֏
Мин. кол-во для заказа 11 шт.
Добавить в корзину 11 шт.
на сумму 1 672 ֏
Альтернативные предложения3
Технические параметры
| Brand | Toshiba |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Id - Continuous Drain Current | 10 A |
| Manufacturer | Toshiba |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | UDFN6B-6 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
| Product Category | MOSFET |
| Product Type | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 13.6 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 20 mOhms |
| Series | SSM6J507 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology | Si |
| Tradename | U-MOSVI |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 170 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 55 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
Техническая документация
Datasheet SSM6J507NU,LF
pdf, 240 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 30 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 3 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
