UMW SI2310A
![UMW SI2310A](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5220 шт., срок 8-10 недель
37 ֏
Мин. кол-во для заказа 50 шт.
Добавить в корзину 50 шт.
на сумму 1 850 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
60V 3A 90mR@10V, 3A 1.38W 3V@250?A N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS VDS (V)=60V ID=3A аналог:SI2310A, UMWSI2310A
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 80 мОм/3A, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.38 | |
Крутизна характеристики, S | 5 | |
Корпус | SOT-23-3 | |
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 3A | |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 1.38W | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 90mО© @ 3A,10V | |
Transistor Polarity | N Channel | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 3V @ 250uA |
Техническая документация
Datasheet SI2310A
pdf, 600 КБ
Datasheet UMW SI2310A
pdf, 503 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 28 августа1 | бесплатно |
HayPost | 1 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг