RF302LAM2STFTR
![Фото 1/3 RF302LAM2STFTR](https://static.chipdip.ru/lib/788/DOC021788693.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/760/DOC003760513.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/434/DOC013434351.jpg)
70 шт., срок 8-10 недель
316 ֏
Кратность заказа 70 шт.
70 шт.
на сумму 22 120 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
The Rohm super fast recovery diode having silicon epitaxial planar type structure. It is used in general rectification application.
Технические параметры
Average Forward Current | 3А |
Forward Surge Current | 20А |
Forward Voltage Max | 920мВ |
Repetitive Peak Reverse Voltage | 200В |
Reverse Recovery Time | 25нс |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество Выводов | 2 Вывода |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Стиль Корпуса Диода | SOD-128 |
Diode Configuration | Isolated |
Maximum Forward Current | 3A |
Maximum Reverse Voltage | 200V |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | SOD-128 |
Pin Count | 2 |
Average Rectified Current (Io) | 3A |
Forward Voltage (Vf@If) | 920mV@3A |
Operating Temperature | - |
Reverse Leakage Current | 10uA@200V |
Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
Reverse Voltage (Vr) | 200V |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 4 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 8 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг