BCR512E6327HTSA1, Транзистор биполярный,NPN, 50В, 500мА, 330мВт, SOT

Фото 1/4 BCR512E6327HTSA1, Транзистор биполярный,NPN, 50В, 500мА, 330мВт, SOT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
125 ֏
Кратность заказа 500 шт.
от 3000 шт.94 ֏
от 9000 шт.72 ֏
от 18000 шт.63 ֏
500 шт. на сумму 62 500 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8023129971

Описание

Описание Транзистор биполярный BCR512E6327HTSA1 производства компании INFINEON представляет собой высококачественный компонент для современной электроники. Этот NPN транзистор, выполненный в удобном для монтажа SMD-исполнении, обладает максимальным током коллектора 0,5 А и напряжением коллектор-эмиттер до 50 В, что делает его подходящим для широкого спектра применений. С мощностью 0,33 Вт и компактным корпусом SOT23, он легко интегрируется в различные электронные схемы, обеспечивая надежность и долговечность. Модель BCR512E6327HTSA1 отличается стабильностью работы и высокими электрическими характеристиками, что делает его предпочтительным выбором для профессионалов. Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN
Монтаж SMD
Ток коллектора, А 0.5
Напряжение коллектор-эмиттер, В 50
Мощность, Вт 0.33
Корпус SOT23

Технические параметры

Automotive Yes
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
Lead Shape Gull-wing
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.3@2.5mA@50mA
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 50
Maximum Continuous DC Collector Current (mA) 500
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 330
Minimum DC Current Gain 60@50mA@5V
Minimum Operating Temperature (°C) -65
Mounting Surface Mount
Packaging Tape and Reel
Part Status LTB
PCB changed 3
Pin Count 3
PPAP Unknown
Standard Package Name SOT
Supplier Package SOT-23
Type NPN
Typical Current Gain Bandwidth (MHz) 100
Typical Input Resistor (kOhm) 4.7
Typical Resistor Ratio 1
Base Part Number BCR512
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA(ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition 100MHz
Manufacturer Infineon Technologies
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 330mW
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 4.7 kOhms
Series -
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type NPN-Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Вес, г 0.61

Техническая документация

Datasheet
pdf, 525 КБ
Datasheet bcr512
pdf, 525 КБ