IGW50N60TPXKSA1, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.6 В, 319.2 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 850 ֏
от 10 шт. —
2 180 ֏
от 30 шт. —
2 000 ֏
от 90 шт. —
1 920 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 850 ֏
Описание
Описание БТИЗ транзистор, 80 А, 1.6 В, 319.2 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов) Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Base Product Number | IGW50N60 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 150A |
| ECCN | EAR99 |
| Gate Charge | 249nC |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | Not Applicable |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Power - Max | 319.2W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | TrenchStopв„ў -> |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
| Switching Energy | 1.53mJ (on), 850ВµJ (off) |
| Td (on/off) @ 25В°C | 20ns/215ns |
| Test Condition | 400V, 50A, 7Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Вес, г | 8.37 |
Техническая документация
Datasheet IGW50N60TPXKSA1
pdf, 1457 КБ
