SSM6N7002KFU,LF(T, SOT-363 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7970 шт., срок 8-10 недель
97 ֏
Мин. кол-во для заказа 10 шт.
Кратность заказа 5 шт.
10 шт.
на сумму 970 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
The Toshiba field effect transistor made up of the silicon material and having N channel MOS type. It is mainly used in high speed switching applications.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 300 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.2e+006 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | US6 |
| Pin Count | 6 |
| Transistor Material | Silicon |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Forward Diode Voltage | 1.1V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.1V |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 0.39 nC @ 4.5 V |
| Width | 1.25mm |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
