MOSFET SUD19P06-60-GE3
![MOSFET SUD19P06-60-GE3](https://static.chipdip.ru/lib/346/DOC026346219.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
540 ֏
Кратность заказа 2000 шт.
Добавить в корзину 2000 шт.
на сумму 1 080 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Vishay SUD19P06-60 is a P-channel MOSFET having drain to source voltage(Vds) of -60V and gate to source voltage (VGS) 20V.
Технические параметры
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 166 КБ