60V 3A, Schottky Diode, 2-Pin DO-219AB V3F6HM3/H
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
224 ֏
Кратность заказа 100 шт.
Добавить в корзину 100 шт.
на сумму 22 400 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Schottky Diodes & Rectifiers
Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers Trench MOS Schottky technology Low profile package
Технические параметры
| Diode Configuration | Single |
| Diode Technology | Schottky Barrier |
| Diode Type | Schottky |
| Maximum Continuous Forward Current | 3A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DO-219AB |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 60A |
| Peak Reverse Repetitive Voltage | 60V |
| Pin Count | 2 |
| Rectifier Type | Schottky Rectifier |
| Average Forward Current | 3А |
| Forward Surge Current | 60А |
| Forward Voltage Max | 620мВ |
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 60В |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 2вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TMBS® SMF |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Стиль Корпуса Диода | DO-219AB |
| Тип Монтажа Диода | SMD(Поверхностный Монтаж) |
| Вес, г | 1 |
