2SK2009(TE85L,F)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1550 шт., срок 8-10 недель
383 ֏
Кратность заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 1 915 ֏
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 2Ом |
| Power Dissipation | 200мВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 2.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 200мА |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.5В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-236MOD |
| Вес, г | 387 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 30 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 3 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
