Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Vishay › IRF840SPBF, Транзистор полевой N-канальный ...

IRF840SPBF, Транзистор полевой N-канальный 500В 8А 3.1Вт, 0.85 Ом

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 000 ֏

Мин. кол-во для заказа 3 шт.

от 50 шт. — 780 ֏

от 150 шт. — 720 ֏

Добавить в корзину 3 шт. на сумму 3 000 ֏

Номенклатурный номер: 8139429388

Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 500В 8А 3.1Вт, 0.85 Ом

Технические параметры

Корпус	D2Pak(TO-263)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	8A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	63nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1300pF @ 25V
Manufacturer	Vishay Siliconix
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Package / Case	TO-263-3, DВІPak(2 Leads+Tab), TO-263AB
Packaging	Cut Tape(CT)
Part Status	Active
Power Dissipation (Max)	3.1W(Ta), 125W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	850mOhm @ 4.8A, 10V
Series	-
Supplier Device Package	D2PAK
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250ВµA
Крутизна характеристики S,А/В	4.9
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	125
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	500
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	4
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	8
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм	850
Структура	N-канал
Температура, С	-55…+150
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	8 A
Maximum Drain Source Resistance	850 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	500 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	3.1 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Number of Elements per Chip	1
Package Type	D2PAK(TO-263)
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	63 nC @ 10 V
Width	9.65mm
Вес, г	1.35