N-Channel MOSFET, 65 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR668DP-T1-RE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 250 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 3 750 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.1V |
| Maximum Continuous Drain Current | 65 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 5.05 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.4V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 104 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | PowerPAK SO-8 |
| Pin Count | 8 |
| Series | TrenchFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| Width | 5.26mm |
| Вес, г | 1 |
