P-Channel MOSFET, 4 A, 12 V, 6-Pin SOT-363 SI1401EDH-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
580 ֏
Кратность заказа 25 шт.
Добавить в корзину 25 шт.
на сумму 14 500 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 12V and a maximum gate-source voltage of 10V.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 4 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.034 O |
| Maximum Drain Source Voltage | 12 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-363 |
| Pin Count | 6 |
| Series | TrenchFET |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 259 КБ
