IRFR540ZTRPBF, DPAK/TO-252AA
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
660 ֏
от 15 шт. —
432 ֏
1 шт.
на сумму 660 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
транзисторы полевые импортные
МОП-транзистор MOSFT 100V 35A 28.5mOhm 39nC Qg
Технические параметры
| Корпус | DPAK(TO-252AA) | |
| Id - непрерывный ток утечки | 35 A | |
| Pd - рассеивание мощности | 91 W | |
| Qg - заряд затвора | 59 nC | |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 28.5 mOhms | |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V | |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V | |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V | |
| Вид монтажа | SMD/SMT | |
| Время нарастания | 42 ns | |
| Время спада | 34 ns | |
| Высота | 2.3 mm | |
| Длина | 6.5 mm | |
| Канальный режим | Enhancement | |
| Категория продукта | МОП-транзистор | |
| Количество каналов | 1 Channel | |
| Конфигурация | Single | |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 28 S | |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C | |
| Минимальная рабочая температура | 55 C | |
| Подкатегория | MOSFETs | |
| Полярность транзистора | N-Channel | |
| Размер фабричной упаковки | 2000 | |
| Технология | Si | |
| Тип продукта | MOSFET | |
| Тип транзистора | 1 N-Channel | |
| Торговая марка | Infineon / IR | |
| Упаковка / блок | TO-252-3 | |
| Ширина | 6.22 mm | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 35 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0285 Ω | |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | DPAK(TO-252) | |
| Pin Count | 3 | |
| Series | HEXFET | |
| Transistor Material | Si | |
| Вес, г | 175.7 |
Техническая документация
Datasheet IRFR540ZTRPBF
pdf, 355 КБ
Datasheet IRFR540Z, IRFU540Z (Infineon)
pdf, 353 КБ
