PDTC114ET,215
![Фото 1/8 PDTC114ET,215](https://static.chipdip.ru/lib/415/DOC044415182.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/174/DOC007174630.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/800/DOC029800859.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/927/DOC032927081.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255374.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/086/DOC012086726.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC021413223.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/774/DOC033774808.jpg)
24273 шт., срок 8-10 недель
18 ֏
Мин. кол-во для заказа 120 шт.
от 1000 шт. —
11 ֏
Добавить в корзину 120 шт.
на сумму 2 160 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8024034111
Бренд: Nexperia B.V.
Описание
Описание Биполярный транзистор PDTC114ET,215 от производителя NEXPERIA — это высококачественный компонент для поверхностного монтажа (SMD), предназначенный для широкого спектра электронных применений. Устройство отличается типом NPN и способно выдерживать ток коллектора до 0,1 А, обеспечивая надежную работу при напряжении коллектор-эмиттер до 50 В. Мощность транзистора составляет 0,25 Вт, что позволяет использовать его в компактных схемах с ограниченным тепловыделением. Корпус SOT23|TO236AB обеспечивает удобство монтажа и экономию пространства на печатной плате. Используйте PDTC114ET215 для построения эффективных и надежных электронных схем. Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Монтаж | SMD |
Ток коллектора, А | 0.1 |
Напряжение коллектор-эмиттер, В | 50 |
Мощность, Вт | 0.25 |
Корпус | SOT23, TO236AB |
Технические параметры
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Maximum DC Collector Current | 100mA |
Pd - Power Dissipation | 250mW |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
кол-во в упаковке | 3000 |
Collector Current (DC) | 0.1(A) |
Configuration | Single |
DC Current Gain | 30 |
Emitter-Collector Voltage (Max) | 50(V) |
Package Type | SOT-23 |
Packaging | Tape and Reel |
Power Dissipation | 0.25(W) |
Type | NPN |
Typical Input Resistor | 10 |
Typical Resistor Ratio | 1 |
Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
Maximum Emitter Base Voltage | 10 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Lead Finish | Tin |
Max Processing Temp | 260 |
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 0.15@0.5mA@10mA V |
Minimum DC Current Gain | 30@5mA@5V V |
Mounting | Surface Mount |
Operating Temperature | -65 to 150 °C |
Peak DC Collector Current | 100 mA |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 711 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet PDTC114ET,215
pdf, 848 КБ
Datasheet PDTC114EU,115
pdf, 1327 КБ
PDTC114ET Datasheet
pdf, 56 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 30 августа1 | бесплатно |
HayPost | 3 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг