RN2425(TE85L,F)

RN2425(TE85L,F)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
27 шт., срок 8-10 недель
227 ֏
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
Добавить в корзину 8 шт. на сумму 1 816 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8024040780
Бренд: Toshiba

Описание

Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) PNP - с предварительным смещением 50 В 800 мА 200 МГц 200 мВт S-Mini для поверхностного монтажа

Технические параметры

Base Product Number RN2107 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 800mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 90 @ 100mA, 1V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 200MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 200mW
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
RoHS Status RoHS non-compliant
Supplier Device Package S-Mini
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Brand: Toshiba
Collector- Base Voltage VCBO: -50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: -50 V
Configuration: Single
DC Collector/Base Gain hFE Min: 90
Emitter- Base Voltage VEBO: -5 V
Factory Pack Quantity: 3000
Manufacturer: Toshiba
Maximum DC Collector Current: -800 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package/Case: SC-59-3
Pd - Power Dissipation: 200 mW
Product Category: Digital Transistors
Product Type: Digital Transistors
Subcategory: Transistors
Transistor Polarity: PNP
Typical Input Resistor: 47 kOhms

Техническая документация

Datasheet
pdf, 573 КБ
Datasheet
pdf, 569 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 30 августа1 бесплатно
HayPost 3 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг