RN2427TE85LF
![RN2427TE85LF](https://static.chipdip.ru/lib/036/DOC007036412.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
48 шт., срок 8-10 недель
232 ֏
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
Добавить в корзину 8 шт.
на сумму 1 856 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PNP 50V 0.8A TRANSISTOR LOG
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 90 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 90 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальная рабочая частота | 200 MHz |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Непрерывный коллекторный ток | 800 mA |
Пиковый постоянный ток коллектора | 800 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | RN2427 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Типичное входное сопротивление | 2.2 kOhms |
Типичный коэффициент деления резистора | 0.22 |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка / блок | SOT-346-3 |
Вес, г | 0.012 |
Техническая документация
Datasheet RN2427TE85LF
pdf, 569 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 30 августа1 | бесплатно |
HayPost | 3 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг