RN1422TE85LF
![RN1422TE85LF](https://static.chipdip.ru/lib/523/DOC006523173.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
100 шт., срок 8-10 недель
249 ֏
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
Добавить в корзину 7 шт.
на сумму 1 743 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN 50V 0.8A TRANSISTOR LOG
Технические параметры
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.1 mm |
Длина | 2.9 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 65 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Непрерывный коллекторный ток | 800 mA |
Пиковый постоянный ток коллектора | 800 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | RN1422 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Типичное входное сопротивление | 2.2 kOhms |
Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Ширина | 1.5 mm |
Техническая документация
Datasheet RN1422TE85LF
pdf, 548 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 30 августа1 | бесплатно |
HayPost | 3 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг