IGW40N60TPXKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 180 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 180 ֏
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) The new 600V TRENCHSTOP Performance has been developed based on 600V TRENCHSTOP IGBT technology. The new IGBT series combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstanding robustness and excellent EMI behavior.
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 246 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Другие названия товара № | IGW40N60TP SP001379670 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 67 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 240 |
| Серия | 600V TRENCHSTOP |
| Технология | Si |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Вес, г | 0.426 |
