IRFU220PBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
540 ֏
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 2 160 ֏
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 4,8А, Idm: 19А, 42Вт, IPAK Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 4.8 A |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Qg - заряд затвора | 14 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 800 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 75 |
| Серия | IRFR/U |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-251-3 |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 4.8A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 260pF @ 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W(Ta), 42W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 2.9A, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | TO-251AA |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 810 КБ
Документация
pdf, 790 КБ
