IKP28N65ES5XKSA1

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 920 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 920 ֏

Номенклатурный номер: 8024100334

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) INDUSTRY 14

Pd - рассеивание мощности	130 W
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	IKP28N65ES5 SP002655502
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение	TRENCHSTOP
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	38 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	500
Серия	Trenchstop 5 H5
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Configuration	Single
Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
Maximum Continuous Collector Current	38 A
Maximum Gate Emitter Voltage	20V
Maximum Power Dissipation	130 W
Number of Transistors	1
Package Type	TO-220-3
Вес, г	2.032