SI4848DY-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
369 ֏
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 1 845 ֏
Посмотреть аналоги4
Описание
Halogen-free TrenchFET® Power MOSFETs
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.7 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 95 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 3 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOIC |
| Pin Count | 8 |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 17 nC |
| Width | 4mm |
| Вес, г | 0.35 |
