IHW40N65R5
![IHW40N65R5](https://static.chipdip.ru/lib/517/DOC006517016.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 160 ֏
от 10 шт. —
2 670 ֏
от 30 шт. —
2 360 ֏
от 90 шт. —
2 080 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 160 ֏
Описание
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 230 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Диапазон рабочих температур | 40 C to + 175 C |
Другие названия товара № | SP001133102 IHW40N65R5XKSA1 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.35 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 240 |
Серия | TRENCHSTOP 5 RC-H |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Вес, г | 1.25 |
Техническая документация
Datasheet IHW40N65R5
pdf, 2064 КБ