HN1C01FE-GR,LF, Bipolar Transistors - BJT Transistor for Small Signal Amp
![HN1C01FE-GR,LF, Bipolar Transistors - BJT Transistor for Small Signal Amp](https://static.chipdip.ru/lib/518/DOC006518048.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
31724 шт., срок 7-9 недель
357 ֏
1 шт.
на сумму 357 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT Transistor for Small Signal Amp
Технические параметры
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Квалификация | AEC-Q101 |
Подкатегория | Transistors |
Размер фабричной упаковки | 4000 |
Серия | HN1C01 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка | Reel, Cut Tape |
Вес, г | 0.003 |
Техническая документация
Datasheet HN1C01FE-GR.LF
pdf, 206 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг