IRFL210TRPBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
263 ֏
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 50 шт. —
245 ֏
Добавить в корзину 7 шт.
на сумму 1 841 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 200В, 0,6А, 3,1Вт, SOT223 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 960 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.5 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 3.1 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-223 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 8.2 nC @ 10 V |
| Width | 3.7mm |
