AO3409A, 30V 2.6A 130MR@10V,2.6A 1.4W 3V@
![AO3409A, 30V 2.6A 130MR@10V,2.6A 1.4W 3V@](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
90000 шт., срок 8-10 недель
27 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
3000 шт.
на сумму 81 000 ֏
Альтернативные предложения1
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.6 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 97 мОм/2.6А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.4 | |
Крутизна характеристики, S | 3.8 | |
Корпус | SOT-23-3 | |
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 2.6A | |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 1.4W | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 130mО© @ 2.6A,10V | |
Transistor Polarity | P Channel | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 3V @ 250uA | |
Вес, г | 5 |
Техническая документация
Datasheet AO3409A
pdf, 1621 КБ
Datasheet UMW AO3409A
pdf, 1912 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг