AO3414A, 20V 4.2A 400MW 35MR@4.5V,3.6A 1.
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
90000 шт., срок 8-10 недель
22 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
3000 шт.
на сумму 66 000 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
20V 4.2A 400mW 35mR@4.5V, 3.6A 1.2V@50?A N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS VDS (V) = 20V ID = 4.2A (VGS=4.5V) аналог:AO3414A, UMWAO3414A
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.2 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 23 мОм/4.2А, 4.5В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.4 | |
Крутизна характеристики, S | 11 | |
Корпус | SOT-23-3 | |
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 4.2A | |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 400mW | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 35mО© @ 3.6A,4.5V | |
Transistor Polarity | N Channel | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 1.2V @ 50uA |
Техническая документация
AO3414A
pdf, 2422 КБ
Datasheet AO3414A
pdf, 1762 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг