IRLML0060TRPBF, , Транзистор полевой , N-канальный, 30В, 3.9А, 2.1Вт, 0.045 Ом, корпус SOT-23-3
см. техническую документацию
Описание
Компания International Rectifier выпустила новую линейку HEXFET силовых полевых транзисторов в стандартных корпусах SOT-23 со сверхнизким сопротивлением канала в открытом состоянии для приложений, включающих устройств зарядки и коммутаторов аккумуляторных батарей, маломощного привода и телекоммуникационного оборудования.
Новые приборы SOT-23 отличаются улучшенными параметрами токовой нагрузки, что удалось достичь благодаря уменьшению сопротивления канала на 90%. Эти транзисторы также характеризуются очень малым зарядом затвора и малой паразитной миллеровской емкостью, благодаря чему имеют сверхбыстрое время переключения.
Новая линейка полевых транзисторов охватывает широкий диапазон рабочего напряжения от - 30 до 100 В с различными уровнями сопротивления и заряда затвора, что позволит разработчикам выбрать оптимальный прибор для решения конкретных задач без дополнительных материальных затрат.
Технические параметры
| Корпус | sot-23 | |
| Время | задержки включения/выключения-6, 3/4.2 нс | |
| Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С | |
| Емкость, пФ | 290 | |
| Заряд затвора, нКл | 2.5 | |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±16 В | |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 60 | |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 2.7 | |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 116 | |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-1.25 Вт | |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-1 В | |
| Описание | MOSFET MOSFT 60V 2.7A 92mOhm 2.5nC Qg | |
| Способ монтажа | поверхностный(SMT) | |
| Тип | MOSFET | |
| Тип проводимости | N | |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 57*46*48/9000 | |
| Упаковка | REEL, 3000 шт. | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 7.6 | |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 2.5 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 116 | |
| Температура, С | -55…+150 | |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.7 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 92 mΩ | |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 1.25 W | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Pin Count | 3 | |
| Series | HEXFET | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 2.5 nC @ 4.5 V | |
| Width | 1.4mm | |
| Вес, г | 0.06 |
