IRLML0030TRPBF, , Транзистор полевой , N-канальный, 30В, 1.3Вт, корпус SOT-23-3
![Фото 1/10 IRLML0030TRPBF, , Транзистор полевой , N-канальный, 30В, 1.3Вт, корпус SOT-23-3](https://static.chipdip.ru/lib/395/DOC009395286.jpg)
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/878/DOC005878968.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/174/DOC007174630.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255374.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/086/DOC012086726.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763021.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/870/DOC034870107.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/026/DOC038026046.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/305/DOC038305804.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735665.jpg)
Описание
Компания International Rectifier выпустила новую линейку HEXFET силовых полевых транзисторов в стандартных корпусах SOT-23 со сверхнизким сопротивлением канала в открытом состоянии для приложений, включающих устройств зарядки и коммутаторов аккумуляторных батарей, маломощного привода и телекоммуникационного оборудования.
Новые приборы SOT-23 отличаются улучшенными параметрами токовой нагрузки, что удалось достичь благодаря уменьшению сопротивления канала на 90%. Эти транзисторы также характеризуются очень малым зарядом затвора и малой паразитной миллеровской емкостью, благодаря чему имеют сверхбыстрое время переключения.
Новая линейка полевых транзисторов охватывает широкий диапазон рабочего напряжения от - 30 до 100 В с различными уровнями сопротивления и заряда затвора, что позволит разработчикам выбрать оптимальный прибор для решения конкретных задач без дополнительных материальных затрат.
Технические параметры
Корпус | sot-23 | |
Диапазон рабочих температур | -55…+150 °С | |
Емкость, пФ | 382 | |
Заряд затвора, нКл | 2.6 | |
Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В | |
Максимальное напряжение сток-исток, В | 30 | |
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 5.3 | |
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 27 | |
Мощность | рассеиваемая(Pd)-1.3 Вт | |
Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-1.3 В | |
Описание | MOSFET MOSFT 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg | |
Способ монтажа | поверхностный(SMT) | |
Тип | MOSFET | |
Тип проводимости | N | |
Транспортная упаковка: размер/кол-во | 63*44*44/12000 | |
Упаковка | REEL, 3000 шт. | |
Base Product Number | IRLML0030 -> | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 5.3A (Ta) | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V | |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
ECCN | EAR99 | |
FET Type | N-Channel | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.6nC @ 4.5V | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 382pF @ 15V | |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) | |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® | |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 5.2A, 10V | |
REACH Status | REACH Unaffected | |
RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
Series | HEXFETВ® -> | |
Supplier Device Package | Micro3в„ў/SOT-23 | |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
Vgs (Max) | В±20V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 25ВµA | |
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | - | |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | - | |
Rds On - Drain-Source Resistance | - | |
Transistor Polarity | - | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - | |
Vgs - Gate-Source Voltage | - | |
Крутизна характеристики S,А/В | 9.5 | |
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 2.3 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 40 | |
Температура, С | -55…+150 | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 5.3 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 27 mΩ | |
Maximum Drain Source Voltage | 30 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.3V | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 1.3 W | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.3V | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | SOT-23 | |
Pin Count | 3 | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 2.6 nC @ 4.5 V | |
Width | 1.4mm | |
Automotive | No | |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 5.3 | |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 27@10V | |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 30 | |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 | |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 1300 | |
Military | No | |
Operating Temperature - (??C) | -55~150 | |
Packaging | Tape and Reel | |
Process Technology | HEXFET | |
Standard Package Name | SOT-23 | |
Supplier Package | SOT-23 | |
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 2.6@4.5V | |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 382@15V | |
Вес, г | 1 |