IRFP4768PBF, , Транзистор полевой , N-канальный, 250В, 93А, 520Вт, корпус TO-247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 380 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 10 шт. —
1 290 ֏
от 20 шт. —
1 190 ֏
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 6 900 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы разные
Infineon offers a comprehensive portfolio of rugged N-channel and P-channel MOSFET devices for motor control applications.
Технические параметры
| Корпус | TO-247 | |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С | |
| Емкость, пФ | 10880 | |
| Заряд затвора, нКл | 270 | |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В | |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 250 | |
| Максимальный ток стока (при Ta=25C), А | 93 | |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 17.5 | |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-520 Вт | |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-1.8 В | |
| Описание | MOSFET MOSFT 250V 83A 21mOhm 195nC Qg | |
| Способ монтажа | Through Hole | |
| Тип | MOSFET | |
| Тип проводимости | N | |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 69*50*55/250 | |
| Упаковка | TUBE, 25 шт. | |
| Brand | Infineon/IR | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Configuration | Single | |
| Factory Pack Quantity | 25 | |
| Fall Time | 110 ns | |
| Forward Transconductance - Min | 100 S | |
| Height | 20.7 mm | |
| Id - Continuous Drain Current | 93 A | |
| Length | 15.87 mm | |
| Manufacturer | Infineon | |
| Maximum Operating Temperature | +175 C | |
| Minimum Operating Temperature | -55 C | |
| Mounting Style | Through Hole | |
| Number of Channels | 1 Channel | |
| Package / Case | TO-247-3 | |
| Packaging | Tube | |
| Part # Aliases | SP001571028 | |
| Pd - Power Dissipation | 520 W | |
| Product Category | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge | 180 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 17.5 mOhms | |
| Rise Time | 160 ns | |
| RoHS | Details | |
| Technology | Si | |
| Transistor Polarity | N-Channel | |
| Transistor Type | 1 N-Channel | |
| Typical Turn-Off Delay Time | 57 ns | |
| Typical Turn-On Delay Time | 36 ns | |
| Unit Weight | 1.340411 oz | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 250 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V | |
| Width | 5.31 mm | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 93 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 14.5 mΩ | |
| Maximum Drain Source Voltage | 250 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V | |
| Maximum Power Dissipation | 520 W | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | TO-247AC | |
| Pin Count | 3 | |
| Series | HEXFET | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 180 nC @ 10 V | |
| Вес, г | 7 |
