5N65F, Package/EnclosureTO-220F fet typeN-Channel Gate voltage Vgs4V@250uA Drain-source voltage Vds650V Continuous Drain Current Id5ATc
![5N65F, Package/EnclosureTO-220F fet typeN-Channel Gate voltage Vgs4V@250uA Drain-source voltage Vds650V Continuous Drain Current Id5ATc](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412892.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
50000 шт., срок 8-10 недель
181 ֏
Кратность заказа 1000 шт.
1000 шт.
на сумму 181 000 ֏
Альтернативные предложения1
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.5 Ом/2.5А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 50 | |
Крутизна характеристики, S | 4 | |
Корпус | TO-220F |
Техническая документация
Datasheet UMW 5N65
pdf, 555 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 22 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг