5N65F, Package/EnclosureTO-220F fet typeN-Channel Gate voltage Vgs4V@250uA Drain-source voltage Vds650V Continuous Drain Current Id5ATc

5N65F, Package/EnclosureTO-220F fet typeN-Channel Gate voltage Vgs4V@250uA Drain-source voltage Vds650V Continuous Drain Current Id5ATc
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
50000 шт., срок 8-10 недель
181 ֏
Кратность заказа 1000 шт.
1000 шт. на сумму 181 000 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8024288012

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1.5 Ом/2.5А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 50
Крутизна характеристики, S 4
Корпус TO-220F

Техническая документация

Datasheet UMW 5N65
pdf, 555 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 18 сентября1 бесплатно
HayPost 22 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг