P-Channel MOSFET, 3.8 A, 60 V, 8-Pin SOIC SI9407BDY-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
670 ֏
Кратность заказа 20 шт.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 13 400 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
Описание Транзистор полевой,МОП р-канальный, -60В, -4А, 5Вт, SO8
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.8 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 150 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 5 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOIC |
| Pin Count | 8 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 14.5 nC @ 10 V |
| Width | 4mm |
| Вес, г | 1 |
