IHW30N120R5XKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 60 А, 330 Вт
![Фото 1/3 IHW30N120R5XKSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 60 А, 330 Вт](https://static.chipdip.ru/lib/171/DOC012171489.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/806/DOC043806614.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/627/DOC026627597.jpg)
3 920 ֏
от 4 шт. —
3 520 ֏
от 7 шт. —
3 290 ֏
от 13 шт. —
3 100 ֏
1 шт.
на сумму 3 920 ֏
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 60 А, 330 Вт
Технические параметры
Корпус | TO-247 | |
Channel Type | N | |
Collector Current (DC) | 60(A) | |
Configuration | Single | |
Gate to Emitter Voltage (Max) | ±20(V) | |
Mounting | Through Hole | |
Operating Temperature (Max) | 175C | |
Operating Temperature (Min) | -40C | |
Operating Temperature Classification | Automotive | |
Package Type | TO-247 | |
Packaging | Rail/Tube | |
Pin Count | 3+Tab | |
Rad Hardened | No | |
Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
Maximum Continuous Collector Current | 60 A | |
Maximum Gate Emitter Voltage | 25V | |
Maximum Power Dissipation | 330 W | |
Number of Transistors | 1 | |
Transistor Configuration | Single | |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.55В | |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ | |
Continuous Collector Current | 60А | |
Power Dissipation | 330Вт | |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) | |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C | |
Монтаж транзистора | Through Hole | |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 | |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный | |
Вес, г | 8 |