2N60G
![2N60G](https://static.chipdip.ru/lib/288/DOC005288116.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10020 шт., срок 8-10 недель
110 ֏
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
87 ֏
от 150 шт. —
74 ֏
от 500 шт. —
57 ֏
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 2 200 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
SOT-223 N-Channel MOSFETs ROHS VDS(V)=650V аналог:UMW2N60G
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.2 Ом/1А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | - | |
Крутизна характеристики, S | 1.5 | |
Корпус | SOT-223 | |
Вес, г | 8 |
Техническая документация
Datasheet UMW 2N60
pdf, 2632 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 28 августа1 | бесплатно |
HayPost | 1 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг