IRFB4310PBF, Транзисторы
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
750 ֏
1 шт.
на сумму 750 ֏
Описание
Описание Транзистор полевой IRFB4310PBF от известного производителя INFINEON – это мощный компонент для современных электронных устройств. Устройство типа N-MOSFET, выполненное в надежном корпусе TO220AB, предназначено для монтажа в отверстия печатной платы (THT). Транзистор способен управлять током стока до 140А и поддерживать напряжение сток-исток на уровне 100В, что позволяет использовать его в высоконагруженных цепях. Мощность устройства достигает 330Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,007 Ом, обеспечивает высокую эффективность и снижение потерь мощности. Модель IRFB4310PBF станет надежным элементом в вашей электронной аппаратуре. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 140 |
| Напряжение сток-исток, В | 100 |
| Мощность, Вт | 330 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.007 |
| Корпус | TO220AB |
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Lead Shape | Through Hole |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 130 |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 7 10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 300000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Process Technology | HEXFET |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 78 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 170 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 170 10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 7670 50V |
| Typical Rise Time (ns) | 110 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 68 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 26 |
| Maximum Continuous Drain Current | 130 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 7 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 300 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-220AB |
| Series | HEXFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 170 nC @ 10 V |
| Width | 4.82mm |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 130A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 250nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7670pF @ 50V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Power Dissipation (Max) | 300W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 75A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Вес, г | 2.84 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 376 КБ
Datasheet
pdf, 378 КБ
Datasheet IRFB4310PBF
pdf, 383 КБ
Datasheet IRFB4310PBF
pdf, 394 КБ
