IGB10N60TATMA1, Транзистор БТИЗ, 600В, 10А, 110Вт, PG-TO263-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 540 ֏
от 10 шт. —
1 060 ֏
от 30 шт. —
930 ֏
1 шт.
на сумму 1 540 ֏
Описание
Transistors/Thyristors\IGBTs
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 10 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 110 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Pin Count | 3 |
| Switching Speed | 1MHz |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 1.66 |
