N-Channel MOSFET, 7.7 A, 60 V, 3-Pin DPAK IRFR014TRPBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 290 ֏
Кратность заказа 10 шт.
Добавить в корзину 10 шт.
на сумму 12 900 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
МОП-транзистор N-Chan 60V 7.7 Amp
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 7.7 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 200 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 25 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Width | 6.22mm |
| Id - непрерывный ток утечки | 7.7 A |
| Pd - рассеивание мощности | 25 W |
| Qg - заряд затвора | 11 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 200 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 2.38 mm |
| Длина | 6.73 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Серия | IRFR/U |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Ширина | 6.22 mm |
| Base Product Number | IRFR014 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 7.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 4.6A, 10V |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | D-Pak |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 884 КБ
Datasheet
pdf, 882 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRFR014TRPBF
pdf, 835 КБ
