IKP40N65H5XKSA1, , IGBT транзистор , 650 В, 74 А, 255 Вт, корпус PG-TO220-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 290 ֏
Кратность заказа 2 шт.
от 10 шт. —
2 120 ֏
от 20 шт. —
1 970 ֏
2 шт.
на сумму 4 580 ֏
Описание
ТРАНЗИСТОРЫ\Транзисторы биполярные
The Infineon 650v fifth generation duopack insulated-gate bipolar transistor and diode of high speed switching series in trenchstop technology.
Технические параметры
| Корпус | to-220 | |
| MSL(Уровень чувствительности к влажности) | 1 | |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 250 | |
| Максимальное напряжение КЭ (Vceo), В | 650 | |
| Тип | IGBT транзистор | |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 60*40*40/150 | |
| Упаковка | 50 | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V | |
| Maximum Continuous Collector Current | 74 A | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20 V, ±30 V | |
| Maximum Power Dissipation | 250 W | |
| Package Type | PG-TO220-3 | |
| Pin Count | 3 | |
| Collector Current (Ic) | 74A | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 650V | |
| Diode Reverse Recovery Time (Trr) | 62ns | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 2.1V@15V, 40A | |
| Power Dissipation (Pd) | 255W | |
| Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) | 95nC | |
| Turn?on Delay Time (Td(on)) | 22ns | |
| Вес, г | 3 |
Техническая документация
Datasheet IKP40N65H5XKSA1
pdf, 2560 КБ
