BSS314PEH6327XTSA1, Транзистор P-МОП, полевой, -30В, -1,5А, 500мВт, PG-SOT23
![Фото 1/4 BSS314PEH6327XTSA1, Транзистор P-МОП, полевой, -30В, -1,5А, 500мВт, PG-SOT23](https://static.chipdip.ru/lib/736/DOC043736543.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514322.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/681/DOC028681283.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/924/DOC028924591.jpg)
387 ֏
от 10 шт. —
312 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 387 ֏
Описание
Описание Транзистор полевой BSS314PEH6327XTSA1 от производителя INFINEON — это высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа SMD. Он отличается током стока в 1,5 А, напряжением сток-исток 30 В и мощностью 0,5 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,14 Ом, что обеспечивает его высокую эффективность в работе. Транзистор упакован в надежный корпус PG-SOT23, который обеспечивает удобство в использовании и надежность при монтаже на печатные платы. Идеальный выбор для разработчиков электронных устройств, ищущих компоненты с оптимальным соотношением цены и качества. Продукт под кодом BSS314PEH6327XTSA1 гарантирует стабильность и долговечность ваших электронных проектов. Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | SMD |
Ток стока, А | 1.5 |
Напряжение сток-исток, В | 30 |
Мощность, Вт | 0.5 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.14 |
Корпус | PG-SOT23 |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 1.5 A |
Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
Qg - заряд затвора | 2.9 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 107 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 3.9 ns |
Время спада | 2.8 ns |
Высота | 1.1 mm |
Длина | 2.9 mm |
Другие названия товара № | BSS314PE BSS314PEH6327XT H6327 SP000928944 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | P-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | BSS314 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 P-Channel |
Типичное время задержки выключения | 12.4 ns |
Типичное время задержки при включении | 5.1 ns |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Ширина | 1.3 mm |
Base Product Number | BSS314 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 1.5A (Ta) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | P-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.9nC @ 10V |
HTSUS | 8541.21.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 294pF @ 15V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 1.5A, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | OptiMOSв„ў -> |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 6.3ВµA |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | P |
Forward Diode Voltage | 1.1V |
Maximum Continuous Drain Current | 1.5 A |
Maximum Drain Source Resistance | 230 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 500 mW |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 2.9 nC @ 10 V |
Width | 0.1mm |
Вес, г | 0.008 |