T1235T-8G, D2PAK TRIACs

Фото 1/2 T1235T-8G, D2PAK TRIACs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
18 шт., срок 6-7 недель
1 780 ֏
от 10 шт.1 200 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 780 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8024986651
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Защита цепи высокого напряжения NEC 600 В

Технические параметры

Peak On State Voltage 1.6В
Thyristor Mounting Surface Mount
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции Snubberless
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальное Отпирающее Напряжение Затвора Vgt 1.3В
Максимальный Отпирающий Ток Затвора (QI), Igt 35мА
Максимальный Ток Удержания Ih 40мА
Пиковая Мощность Затвора 1Вт
Пиковое Напряжение Состояния Выкл. Vdrm 800В
Пиковый Импульсный Ток Itsm 50Гц 90А
Стиль Корпуса Симистора TO-263
Ток в Открытом Состоянии СКЗ IT(rms) 12А
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Brand: STMicroelectronics
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 1000
Gate Trigger Current - Igt: 35 mA
Gate Trigger Voltage - Vgt: 1.3 V
Holding Current Ih Max: 40 mA
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -40 C
Mounting Style: SMD/SMT
Non Repetitive On-State Current: 95 A
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM: 5 uA
On-State RMS Current - It RMS: 12 A
On-State Voltage: 1.6 V
Package / Case: TO-263-3
Packaging: Tube
Product Category: Triacs
Product Type: Triacs
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM: 800 V
Series: T1235T-8G
Subcategory: Thyristors
Tradename: Snubberless
Вес, г 2.8

Техническая документация

Datasheet T1235T-8G
pdf, 480 КБ
Datasheet T1235T-8G
pdf, 356 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 18 августа1 бесплатно
HayPost 21 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг