AO3415A, 20V 4A 50MR@4.5V,4A 350MW 1V@250
![AO3415A, 20V 4A 50MR@4.5V,4A 350MW 1V@250](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255375.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
90000 шт., срок 8-10 недель
27 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
3000 шт.
на сумму 81 000 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
20V 4A 50m-@4.5V,4A 350mW 1V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±8 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 34 мОм/4А, 4.5В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.35 | |
Крутизна характеристики, S | 8 | |
Корпус | SOT-23-3 | |
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 4A | |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 350mW | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 50mО© @ 4A,4.5V | |
Transistor Polarity | P Channel | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 1V @ 250uA | |
кол-во в упаковке | 3000 | |
Вес, кг | 24.6 |
Техническая документация
Datasheet AO3415A
pdf, 1343 КБ
Datasheet UMW AO3415A
pdf, 588 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 сентября1 | бесплатно |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа