IKP10N60TXKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
940 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 1 880 ֏
Описание
Описание Транзистор БТИЗ, биполярный, 600В, 10А, 110Вт, TO220 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Case | TO220AB |
| Collector current | 10A |
| Collector-emitter voltage | 600V |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
| Gate charge | 62nC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 110W |
| Pulsed collector current | 30A |
| Semiconductor structure | single transistor |
| Type of transistor | IGBT |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 24 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 110 W |
| Number of Transistors | 3 |
| Package Type | PG-TO-220-3 |
| Вес, г | 3.82 |
